-
-
Tổng tiền thanh toán:
-
IGBT có những đặc điểm rất giống với MOSFET về phần cấu trúc bán dẫn. Điểm khác nhau đó chính là có thêm lớp nối với collector. Tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emitter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), không giống như ở MOSFET là cấu trúc n-n.
Kênh dẫn với các hạt mang điện là điện tử được hình thành dưới tác dụng của áp điều khiển Uge > 0. Các điện tử này sau đó sẽ di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector của transistor thường, qua đó tạo nên dòng collector.
IGBT là công nghệ đang nhận được sự kỳ vọng của rất nhiều người, và mong rằng nó có thể dần dần thay thế được các loại khóa còn lại. Ngoài những ưu điểm vượt trội thì công nghệ IGBT vẫn còn tồn tại một số hạn chế nhất định. Bên cạnh đó bạn cũng nên tìm hiểu thêm về một số lỗi thường gặp ở máy hàn điện tử và cách khắc phục.
Ưu điểm của IGBT:
- Chức năng điều khiển nhanh, cho phép đóng cắt một cách dễ dàng.
- Có thể chịu áp lớn hơn so với MOS, thường là từ 600V đến 1500V
- Tải dòng lớn, xấp xỉ 1000A, sụt áp nhỏ và cũng có thể điều khiển bằng áp